FP10R12W1T7B3BOMA1
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn IGBT Mô-đun IGBT
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
10 A
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại lắp đặt:
khung gầm
Gói:
Thẻ
Dòng:
EasyPIM™
Bao bì / Vỏ:
mô-đun
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
1.6V @ 15V, 10A (Loại)
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
1200 V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
AG-DỄ DÀNG1B-2
Mfr:
Công nghệ Infineon
Nhiệt độ hoạt động:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
4,5µA
Loại IGBT:
Rãnh trường dừng
Sức mạnh tối đa:
20 mW
Nhập:
Bộ chỉnh lưu cầu ba pha
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce:
1,89 nF @ 25 V
Cấu hình:
Biến tần ba pha
Nhiệt điện trở NTC:
Vâng.
Số sản phẩm cơ bản:
FP10R12
Giới thiệu
Mô-đun IGBT Dừng trường rãnh Biến tần ba pha 1200 V 10 A 20 mW Khung gầm AG-EASY1B-2
Gửi RFQ
Sở hữu:
In Stock
MOQ: