FP35R12KT4BOSA1
Mô tả:
IGBT MOD 1200V 35A 210W
Nhóm:
Mạch tích hợp TI
In-stock:
Trong kho
Phương thức thanh toán:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, HÀNG KHÔNG, FCL, Chuyển phát nhanh
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Bóng bán dẫn IGBT Mô-đun IGBT
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
35 A
Tình trạng sản phẩm:
Ngừng sản xuất tại Digi-Key
Loại lắp đặt:
khung gầm
Gói:
Nhập xách
Dòng:
Tiết kiệmPIM™ 2
Bao bì / Vỏ:
mô-đun
Vce(bật) (Tối đa) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 35A
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
1200 V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
mô-đun
Mfr:
Công nghệ Infineon
Nhiệt độ hoạt động:
-40°C ~ 150°C
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
1mA
Loại IGBT:
Rãnh trường dừng
Sức mạnh tối đa:
210W
Nhập:
Tiêu chuẩn
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce:
2 nF @ 25 V
Cấu hình:
Biến tần ba pha
Nhiệt điện trở NTC:
Vâng.
Số sản phẩm cơ bản:
FP35R12
Giới thiệu
IGBT Module Trench Field Stop Ba pha Inverter 1200 V 35 A 210 W Chassis Mount Module
Gửi RFQ
Sở hữu:
In Stock
MOQ: