PDTC115ES,126
Mô tả:
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Nhóm:
Mạch tích hợp TI
In-stock:
Trong kho
Phương thức thanh toán:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, HÀNG KHÔNG, FCL, Chuyển phát nhanh
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Transistor Transistor lưỡng cực (BJT) Transistor lưỡng cực đơn, tiền phân c
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
20mA
Tình trạng sản phẩm:
Bị lỗi thời
Loại bóng bán dẫn:
NPN - Xu hướng trước
Loại lắp đặt:
Qua lỗ
Gói:
Băng & Hộp (TB)
Dòng:
-
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic:
150mV @ 250µA, 5mA
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
50 V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
TO-92-3
Điện trở - Đế (R1):
100 kOhms
Mfr:
Tập đoàn NXP Hoa Kỳ
Điện trở - Cơ sở phát (R2):
100 kOhms
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
1µA
Sức mạnh tối đa:
500 mW
Bao bì / Vỏ:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Dẫn được hình thành
Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce:
80 @ 5mA, 5V
Số sản phẩm cơ bản:
PDTC115
Giới thiệu
Bipolar Transistor (BJT) NPN - 50 V 20 mA 500 mW thông qua lỗ TO-92-3
Gửi RFQ
Sở hữu:
In Stock
MOQ: