PDTA114EQB-QZ
Mô tả:
PDTA114EQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
Nhóm:
Mạch tích hợp TI
In-stock:
Trong kho
Phương thức thanh toán:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, HÀNG KHÔNG, FCL, Chuyển phát nhanh
Thông số kỹ thuật
Nhóm:
Sản phẩm bán dẫn rời rạc Transistor Transistor lưỡng cực (BJT) Transistor lưỡng cực đơn, tiền phân c
Hiện tại - Bộ thu (Ic) (Tối đa):
100mA
Tình trạng sản phẩm:
Hoạt động
Loại bóng bán dẫn:
PNP - Tiền thiên vị
Tần suất - Chuyển tiếp:
180 MHz
Loại lắp đặt:
Bề mặt gắn kết, sườn ướt
Gói:
Dây băng và cuộn (TR)
Dây cắt (CT)
Digi-Reel®
Dòng:
Ô tô, AEC-Q101
Độ bão hòa Vce (Tối đa) @ Ib, Ic:
100mV @ 500µA, 10mA
Điện áp - Sự cố bộ phát Collector (Tối đa):
50 V
Bao gồm thiết bị của nhà cung cấp:
DFN1110D-3
Điện trở - Đế (R1):
10 kOhms
Mfr:
Nexeria Hoa Kỳ Inc.
Điện trở - Cơ sở phát (R2):
10 kOhms
Hiện tại - Collector Cutoff (Tối đa):
100nA
Sức mạnh tối đa:
340 mW
Bao bì / Vỏ:
Tấm tiếp xúc 3-XDFN
Mức tăng dòng điện một chiều (hFE) (Tối thiểu) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Số sản phẩm cơ bản:
PDTA114
Giới thiệu
Bipolar Transistor (BJT) Pre-Biased PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 180 MHz 340 mW Đứng bề mặt, Làng ẩm DFN1110D-3
Gửi RFQ
Sở hữu:
In Stock
MOQ: